Причина - хочу себе в будущем две планки по гигабайту, а сейчас стоЯт две по 512 мегов.
Я бы с удовольствием продал по цене немного ниже санрайза какого-нибудь, но реальную цену за б/у никто из присутствующих
предлагать, думается мне, не будет намерен, поэтому меняю.
Обменяю только после полного теста вашей памяти: две новые планки менять на одну неработающую совершенно не намерен.
Если надо тестанём мои углублённым тестом часа эдак на 2-3, но смысла нету - работают замечательно.
Планкам примерно месяц.
Обращаться в личку и/или на почту. ICQ нету. Моё соединение её не тянет.
Прилагаю отчёт эвереста: смотрите что вам надо.
--------[ EVEREST Ultimate Edition 2005 (c) 2003-2005 Lavalys, Inc. ]---------------------------------------------------
Версия EVEREST v2.00.333/ru
Домашняя страница
http://www.lavalys.com/ Тип отчета Быстрый отчет
Компьютер DBDMTH2J
Генератор dell
Операционная система Microsoft Windows XP Home Edition 5.1.2600 (WinXP Retail)
Дата 2007-01-20
Время 22:16
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Samsung M4 70T6554CZ3-CD5 ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Samsung M4 70T6554CZ3-CD5
Серийный номер F44B782Dh
Размер модуля 512 Мб (2 rows, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-533 (266 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 266 МГц 5.0-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 266 МГц 4.0-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 МГц 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Corsair Xpert:
Частота 655 МГц
Температура 44 °C (110 °F)
Напряжение питания 2.74 V
Функции модуля памяти:
Early RAS# Precharge Поддерживается
Auto-Precharge Поддерживается
Precharge All Поддерживается
Write1/Read Burst Не поддерживается
Buffered Address/Control Inputs Не поддерживается
Registered Address/Control Inputs Не поддерживается
On-Card PLL (Clock) Не поддерживается
Buffered DQMB Inputs Не поддерживается
Registered DQMB Inputs Не поддерживается
Differential Clock Input Не поддерживается
Redundant Row Address Не поддерживается
Производитель модуля памяти:
Фирма Samsung
[ DIMM3: Kingston (512 Мб DDR2-533 DDR2 SDRAM) ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Kingston
Серийный номер B13E2C8Ch
Дата выпуска Неделя 31 / 2006
Размер модуля 512 Мб (2 rows, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-533 (266 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 266 МГц 5.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 266 МГц 4.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 МГц 3.0-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)
Функции модуля памяти:
Early RAS# Precharge Поддерживается
Auto-Precharge Не поддерживается
Precharge All Не поддерживается
Write1/Read Burst Не поддерживается
Buffered Address/Control Inputs Не поддерживается
Registered Address/Control Inputs Не поддерживается
On-Card PLL (Clock) Не поддерживается
Buffered DQMB Inputs Не поддерживается
Registered DQMB Inputs Не поддерживается
Differential Clock Input Не поддерживается
Redundant Row Address Не поддерживается
Производитель модуля памяти:
Фирма Kingston Technology Company, Inc.
